不久之前有台湾媒体报道称,Qualcomm公司的下一代旗舰芯片骁龙830有望采用10nm FinFET制程工艺和Kyro 200架构,搭载Adreno 540和X16基带。而今日微博网友@SuperHQ_Vision爆料称,不仅骁龙830将采用10nm工艺,另外两款处理器骁龙828与骁龙825同样也会采用10nm工艺。
微博截图
这位网友表示,骁龙830将采用四小核+四Kryo大核的架构,最高主频可达到2.6GHz;而骁龙828则采用四小核+两个Kryo大核的结构,最高主频为2.4GHz,骁龙825则采用两小核+一个Kryo高频大核,最高主频为3.6GHz。
骁龙830将采用10nm工艺
这与之前曝光的消息出入不大,另外综合之前的消息,在网络连接方面,旗舰芯片骁龙830号称支持四个20Hz载波聚合,下载速度高达980Mbps。除此之外,这款处理器还可能支持LPDDR4X内存、QC 3.0快充以及4K×2K/60fps视频录制,性能提升将会十分明显。至于搭载以上处理器的智能手机估计要到明年才能亮相了。
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共 0 个关于本帖的回复 最后回复于 2016-4-30 10:48