骁龙830/828再曝：全部采用10nm工艺

不久之前有台湾媒体报道称，Qualcomm公司的下一代旗舰芯片骁龙830有望采用10nm FinFET制程工艺和Kyro 200架构，搭载Adreno 540和X16基带。而今日微博网友@SuperHQ_Vision爆料称，不仅骁龙830将采用10nm工艺，另外两款处理器骁龙828与骁龙825同样也会采用10nm工艺。

微博截图

　　这位网友表示，骁龙830将采用四小核+四Kryo大核的架构，最高主频可达到2.6GHz；而骁龙828则采用四小核+两个Kryo大核的结构，最高主频为2.4GHz，骁龙825则采用两小核+一个Kryo高频大核，最高主频为3.6GHz。

骁龙830将采用10nm工艺

　　这与之前曝光的消息出入不大，另外综合之前的消息，在网络连接方面，旗舰芯片骁龙830号称支持四个20Hz载波聚合，下载速度高达980Mbps。除此之外，这款处理器还可能支持LPDDR4X内存、QC 3.0快充以及4K×2K/60fps视频录制，性能提升将会十分明显。至于搭载以上处理器的智能手机估计要到明年才能亮相了。